佛山整流二极管厂商 昆山奇沃电子有限公司
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- 发货地:江苏省苏州昆山市
关键词
佛山整流二极管厂商
详细说明
二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出
。
正向特性
在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连
接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导
通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门坎电
压”,又称“死区电压”,锗管约为0.1V,硅管约为0.5V)以后,二极管才能真正导通。导通
后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向
压降”。
反向特性
在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流
流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍
然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压到某一数值,
反向电流会急剧,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。

二极管,(英语:Diode),电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方
向流过,许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管(Varicap Diode)则用来当作电子
式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流(Rectifying)”
功能。二极管普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压),反向时阻断
(称为逆向偏压)。因此,二极管可以想成电子版的逆止阀
早期的二极管包含“猫须晶体("Cat's Whisker" Crystals)”以及真空管(英国称为“热游
离阀(Thermionic Valves)”)。现今普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。

反向性
外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。
由于反向电流很小,二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极
管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反向饱
和电流在nA数量级,小功率锗管在μA数量级。温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数
目增加,反向饱和电流也随之增加

雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而
与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空
穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为
雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结性损坏。
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。
正向特性
在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连
接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导
通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门坎电
压”,又称“死区电压”,锗管约为0.1V,硅管约为0.5V)以后,二极管才能真正导通。导通
后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向
压降”。
反向特性
在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流
流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍
然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压到某一数值,
反向电流会急剧,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。

二极管,(英语:Diode),电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方
向流过,许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管(Varicap Diode)则用来当作电子
式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流(Rectifying)”
功能。二极管普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压),反向时阻断
(称为逆向偏压)。因此,二极管可以想成电子版的逆止阀
早期的二极管包含“猫须晶体("Cat's Whisker" Crystals)”以及真空管(英国称为“热游
离阀(Thermionic Valves)”)。现今普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。

反向性
外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。
由于反向电流很小,二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极
管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反向饱
和电流在nA数量级,小功率锗管在μA数量级。温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数
目增加,反向饱和电流也随之增加

雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而
与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空
穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为
雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结性损坏。
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