大庆自动整流二极管 昆山奇沃电子有限公司

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  • 发货地:江苏省苏州昆山市
关键词
大庆自动整流二极管
详细说明
特性曲线
与PN结一样,二极管具有单向导电性。硅二极管典型伏安
特性曲线(图)。在二极管加有正向电压,当电压值较小时,电流极小;当电压超过0.6V时,
电流开始按指数规律,通常称此为二极管的开启电压;当电压达到约0.7V时,二极管处于
完全导通状态,通常称此电压为二极管的导通电压,用符号UD表示。
对于锗二极管,开启电压为0.2V,导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压,当电压值较
小时,电流极小,其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时,电流开始急剧
,称之为反向击穿,称此电压为二极管的反向击穿电压,用符号UBR表示。不同型号的二极管
的击穿电压UBR值差别很大,从几十伏到几千伏。
大庆自动整流二极管
早期的真空电子二极管;它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个
PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的传导性。一般来讲,
晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间
电荷层,构成自建电场。当外加电压等于零时,由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流
和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态,这也是常态下的二极管特性。
晶体二极管,简称二极管(diode);它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个
零件号接合的2个端子的器件,具有按照外加电压的方向,使电流流动或不流动的性质。晶体
二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有
自建电场。当不存在外加电压时,由于PN 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引
起的漂移电流相等而处于电平衡状态
大庆自动整流二极管
主要参数
用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。不同类型的二极管有
不同的特性参数。对初学者而言,必须了解以下几个主要参数:
1、大整流电流IF
是指二极管长期连续工作时,允许通过的大正向平均电流值,其值与PN结面积及外部散热条
件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为141左
右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下,二极管使用中不要
超过二极管大整流电流值。例如,常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A

2、高反向工作电压Udrm
加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。为了保证使用
安全,规定了高反向工作电压值。例如,IN4001二极管反向耐压为50V,IN4007反向耐压为
1000V。
3、反向电流Idrm
反向电流是指二极管在常温(25℃)和高反向电压作用下,流过二极管的反向电流。反向电
流越小,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温
度每升高10℃,反向电流一倍。例如2AP1型锗二极管,在25℃时反向电流若为250uA,温
度升高到35℃,反向电流将上升到500uA,依此类推,在75℃时,它的反向电流已达8mA,不仅
失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。又如,2CP10型硅二极管,25℃时反向电流
仅为5uA,温度升高到75℃时,反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较
好的稳定性。
4.动态电阻Rd
二极管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。
5高工作频率Fm
Fm是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样,其结电容由势垒电容组成。所以Fm的值主
要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响。
6,电压温度系数αuz
αuz指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。uz为6v左右的稳压二极管的温度稳定
性较好
大庆自动整流二极管
正向性
外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用
,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当
正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压而迅速上
升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的
正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值  ,内电场很快被削弱,特性电流迅速增长
,二极管正向导通。  叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为0.5V,锗管约为0.1V。硅二极管的
正向导通压降约为0.6~0.8V,锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。
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