全新快恢复二极管生产 昆山奇沃电子有限公司
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- 发货地:江苏省苏州昆山市
关键词
全新快恢复二极管生产
详细说明
二极管主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线。
⒈正向特性
当加在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),
管子不导通,处于“截止”状态,当正向电压超过一定数值后,管子才导通,电
二极管伏安特性曲线
二极管伏安特性曲线
压再稍微,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为
0.5-0.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。
⒉反向特性
二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变
,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线Ⅱ段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅
管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,
锗管的稳定性比硅管差。
⒊击穿特性
当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧,这种现象称为反向击穿。这时的反向电压
称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1
伏到几百伏,甚达数千伏。
⒋频率特性
由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电
性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。
二极管是常用的电子元件之一,它大的特性就是单向导电,也就是电流只可以从二极管的
一个方向流过,二极管的作用有整流电路,检波电路,稳压电路,各种调制电路,主要都是由
二极管来构成的,其原理都很简单,正是由于二极管等元件的发明,才有我们现 在丰富多彩
的电子信息世界的诞生,既然二极管的作用这么大那么我们应该如何去检测这个元件呢,其实
很简单只要用万用表打到电阻档测量一下反向电阻如果很小就说明这个二极管是坏的,反向电
阻如果很大这就说明这个二极管是好的。对于这样的基础元件我们应牢牢掌握住他的作用原理
以及基本电路,这样才能为以后的电子技术学习打下良好的基础
晶体二极管一般可用到十万小时以上。但是如果使用不合理,他就不能充分发挥作用,甚至很快地被损坏。要合理地使用二极管,必须掌握他的主要参数,因为参数是反应质量和特性的。
高工作频率fM(MC)----二极管能承受的高频率。通过PN结交流电频率高于此值,二极管接不能正常工作。
高反向工作电压VRM(V)----二极管长期正常工作时,所允许的高反压。若越过此值,PN结就有被击穿的可能,对于交流电来说,高反向工作电压也就是二极管的高工作电压。
大整流电流IOM(mA)----二极管能长期正常工作时的大正向电流。因为电流通过二极管时就要发热,如果正向电流越过此值,二极管就会有烧坏的危险。所以用二极管整流时,流过二极管的正向电流(既输出直流)不允许超过大整流电流
雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而
与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空
穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为
雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结性损坏。
击穿
外加反向电压超过某一数值时,反向电流会突然,这种现象称为电击穿。引起电击穿的临
界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿
而引起过热,则单向导电性不一定会被破坏,在撤除外加电压后,其性能仍可恢复,否则
二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。
二极管是一种具有单向导电的二端器件,有电子二极管和晶体二极管之分,电子二极管因为灯
丝的热损耗,效率比晶体二极管低,所以现已很少见到,比较常见和常用的多是晶体二极管。
二极管的单向导电特性,几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路
中起着重要的作用,它是诞生早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。
二极管的管压降:硅二极管(不发光类型)正向管压降0.7V,锗管正向管压降为0.3V,发光二
极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色,具体压降参考值如下:红色发光
二极管的压降为2.0--2.2V,发光二极管的压降为1.8—2.0V,绿色发光二极管的压降为
3.0—3.2V,正常发光时的额定电流约为20mA
二极管的电压与电流不是线性关系,所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。
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⒈正向特性
当加在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),
管子不导通,处于“截止”状态,当正向电压超过一定数值后,管子才导通,电
二极管伏安特性曲线
二极管伏安特性曲线
压再稍微,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为
0.5-0.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。
⒉反向特性
二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变
,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线Ⅱ段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅
管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,
锗管的稳定性比硅管差。
⒊击穿特性
当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧,这种现象称为反向击穿。这时的反向电压
称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1
伏到几百伏,甚达数千伏。
⒋频率特性
由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电
性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。
二极管是常用的电子元件之一,它大的特性就是单向导电,也就是电流只可以从二极管的
一个方向流过,二极管的作用有整流电路,检波电路,稳压电路,各种调制电路,主要都是由
二极管来构成的,其原理都很简单,正是由于二极管等元件的发明,才有我们现 在丰富多彩
的电子信息世界的诞生,既然二极管的作用这么大那么我们应该如何去检测这个元件呢,其实
很简单只要用万用表打到电阻档测量一下反向电阻如果很小就说明这个二极管是坏的,反向电
阻如果很大这就说明这个二极管是好的。对于这样的基础元件我们应牢牢掌握住他的作用原理
以及基本电路,这样才能为以后的电子技术学习打下良好的基础
晶体二极管一般可用到十万小时以上。但是如果使用不合理,他就不能充分发挥作用,甚至很快地被损坏。要合理地使用二极管,必须掌握他的主要参数,因为参数是反应质量和特性的。
高工作频率fM(MC)----二极管能承受的高频率。通过PN结交流电频率高于此值,二极管接不能正常工作。
高反向工作电压VRM(V)----二极管长期正常工作时,所允许的高反压。若越过此值,PN结就有被击穿的可能,对于交流电来说,高反向工作电压也就是二极管的高工作电压。
大整流电流IOM(mA)----二极管能长期正常工作时的大正向电流。因为电流通过二极管时就要发热,如果正向电流越过此值,二极管就会有烧坏的危险。所以用二极管整流时,流过二极管的正向电流(既输出直流)不允许超过大整流电流
雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而
与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空
穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为
雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结性损坏。
击穿
外加反向电压超过某一数值时,反向电流会突然,这种现象称为电击穿。引起电击穿的临
界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿
而引起过热,则单向导电性不一定会被破坏,在撤除外加电压后,其性能仍可恢复,否则
二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。
二极管是一种具有单向导电的二端器件,有电子二极管和晶体二极管之分,电子二极管因为灯
丝的热损耗,效率比晶体二极管低,所以现已很少见到,比较常见和常用的多是晶体二极管。
二极管的单向导电特性,几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路
中起着重要的作用,它是诞生早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。
二极管的管压降:硅二极管(不发光类型)正向管压降0.7V,锗管正向管压降为0.3V,发光二
极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色,具体压降参考值如下:红色发光
二极管的压降为2.0--2.2V,发光二极管的压降为1.8—2.0V,绿色发光二极管的压降为
3.0—3.2V,正常发光时的额定电流约为20mA
二极管的电压与电流不是线性关系,所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。
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