早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个
PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。一般来讲，
晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间
电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流
和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。
晶体二极管，简称二极管（diode）；它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个
零件号接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。晶体
二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有
自建电场。当不存在外加电压时，由于PN 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引
起的漂移电流相等而处于电平衡状态

二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出
。
正向特性
在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连
接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导
通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门坎电
压”，又称“死区电压”，锗管约为0.1V，硅管约为0.5V）以后，二极管才能真正导通。导通
后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向
压降”。
反向特性
在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流
流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍
然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压到某一数值，
反向电流会急剧，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。

二极管主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线。
⒈正向特性
当加在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），
管子不导通，处于“截止”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，电
二极管伏安特性曲线
二极管伏安特性曲线
压再稍微，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为
0.5-0.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。
⒉反向特性
二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变
，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线Ⅱ段）。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅
管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，
锗管的稳定性比硅管差。
⒊击穿特性
当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧，这种现象称为反向击穿。这时的反向电压
称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1
伏到几百伏，甚达数千伏。
⒋频率特性
由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电
性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。

二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可
各种二极管的符号
各种二极管的符号
分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极
管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管
、旋转二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管
。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝
一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过
贴片二极管
贴片二极管
较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二极
管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直
流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而
且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。
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