反向击穿
齐纳击穿
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很
小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空
穴对，致使电流急剧，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不
容易产生齐纳击穿。

二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方
向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子
式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”
功能。二极管普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 
（称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀
1.
Freewheel diode续流二极管
2.
Esaki diode隧道二极管；江崎二极管
3.
PIN diode PIN型二极管
4.
Schottky diode肖特基二极管
5.
Schottky barrier double rectifier diode萧特基势垒双整流二极管
6.
Zener diode齐纳二极管
7.
backward diode逆向二极管
8.
avalanche photo diode (APD)雪崩光电二极管
9.
blocking diode阻塞二极管
10.
diode capacitor二极管电容器
11.
clamp diode钳位二极管
12.
common-cathode double diode共阴极双二极管
13.
crystal diode晶体二极管
14.
diode-transistor logic (DTL)二极管晶体管逻辑
15.
variable capacitance diode, variode变容二极管
16.
tunnel diode隧道二极管
17.
transient suppression diode瞬变抑制二极管
18.
resistor-capacitor diode (RCD)电阻器电容器二极管
19.
rectifier diode整流二极管
20.
parasitic diode寄生二极管

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并
建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场
引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互
相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和
自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。
当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍
增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn
结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分

二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可
各种二极管的符号
各种二极管的符号
分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极
管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管
、旋转二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管
。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝
一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过
贴片二极管
贴片二极管
较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二极
管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直
流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而
且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。
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