南京T1960N22TOF VT英飞凌可控硅 昆山奇沃电子有限公司

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  • 发货地:江苏省苏州昆山市
关键词
南京T1960N22TOF,VT英飞凌可控硅
详细说明
可控硅特征
芯片与底板电气绝缘 
2500V交流电压
国际标准封装
全压接结构,优良的温度特性和功率循环能力
350V以下模块皆为强迫风冷,400A以上模块,既可选用风冷,也可选用水冷。
安装简单,使用维修方便
体积小,重量轻
真空+氢气保护焊接技术 
典型应用
交直流电机控制
各种整流电源
工业加热控制
调光
无触点开关
电机软启动
静止无功补偿
电焊机
变频器
UPS电源
电池充放电
普通晶闸管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如
果把二极管换成晶闸管,就可以构成可控整流电路。以简单的单相半波可控整流电路为例,
在正弦交流电压U2的正半周期间,如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug,VS仍然不能导通,只
有在U2处于正半周,在控制极外加触发脉冲Ug时,晶闸管被触发导通。画出它的波形(c)及
(d),只有在触发脉冲Ug到来时,负载RL上才有电压UL输出。Ug到来得早,晶闸管导通的时
间就早;Ug到来得晚,晶闸管导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间,就
可以调节负载上输出电压的平均值UL。在电工技术中,常把交流电的半个周期定为180°,称
为电角度。这样,在U2的每个正半周,从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控
制角α;在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显,α和θ都是用来表示晶闸
管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ,改变负载
上脉冲直流电压的平均值UL,实现了可控整流。
南京T1960N22TOF VT英飞凌可控硅
结构原件
可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP
管和一个NPN管所组成。双向可控硅:双向可控硅是一种硅可控整流器件,也称作双向晶闸管
。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制,以小电流控制大电流,具有无火花、动作
快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。从外表上看,双向可控硅和普通可控硅很相
似,也有三个电极。但是,它除了其中一个电极G仍叫做控制极外,另外两个电极通常却不再
叫做阳极和阴极,而统称为主电极Tl和T2。它的符号也和普通可控硅不同,是把两个可控硅反
接在一起画成的,它的型号,在我国一般用“3CTS”或“KS”表示;国外的资料也有
用“TRIAC”来表示的。双向可控硅的规格、型号、外形以及电极引脚排列依生产厂家不同而
有所不同,但其电极引脚多数是按T1、T2、G的顾序从左至右排列(观察时,电极引脚向下,面
对标有字符的一面)。市场上常见的几种塑封外形结构双向可控硅的外形及电极引脚排列。
南京T1960N22TOF VT英飞凌可控硅
关于连续峰值开路电压VDRM
在电源不正常的情况下,可控硅(晶闸管)两端的电压会超过连续峰值开路电压VDRM的大值,此时可控硅(晶闸管)的漏电流并击穿导通。如果负载能允许很大的浪涌电流,那么硅片上局部的电流密度就很高,使这一小部分先导通。导致芯片烧毁或损坏。另外,容性负载或短路保护电路会产生较高的浪涌电流,这时可外加滤波器和钳位电路来防止尖峰(毛刺)电压加到双向可控硅(晶闸管)上 。
南京T1960N22TOF VT英飞凌可控硅
关于转换电压变化率
当驱动一个大的电感性负载时,在负载电压和电流间有一个很大的相移。当负载电流过零时,双向可控硅(晶闸管)开始换向,但由于相移的关系,电压将不会是零。所以要求可控硅(晶闸管)要迅速关断这个电压。如果这时换向电压的变化超过允许值时,就没有足够的时间使结间的电荷释放掉,而使双向可控硅(晶闸管)回到导通状态。
为了克服上述问题,可以在端子MT1和MT2之间加一个RC网络来限制电压的变化,以防止误触发。一般,电阻取100R,电容取100nF。值得注意的是此电阻不能省掉。
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