二手快恢复二极管生产 昆山奇沃电子有限公司
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关键词
二手快恢复二极管生产
详细说明
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并
建有自建电场。当不存在外加电压时,由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场
引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互
相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和
自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。
当外加的反向电压高到一定程度时,pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍
增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。pn
结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分
![二手快恢复二极管生产](http://l.b2b168.com/2019/03/28/10/201903281040568646624.jpg)
击穿
外加反向电压超过某一数值时,反向电流会突然,这种现象称为电击穿。引起电击穿的临
界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿
而引起过热,则单向导电性不一定会被破坏,在撤除外加电压后,其性能仍可恢复,否则
二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。
二极管是一种具有单向导电的二端器件,有电子二极管和晶体二极管之分,电子二极管因为灯
丝的热损耗,效率比晶体二极管低,所以现已很少见到,比较常见和常用的多是晶体二极管。
二极管的单向导电特性,几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路
中起着重要的作用,它是诞生早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。
二极管的管压降:硅二极管(不发光类型)正向管压降0.7V,锗管正向管压降为0.3V,发光二
极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色,具体压降参考值如下:红色发光
二极管的压降为2.0--2.2V,发光二极管的压降为1.8—2.0V,绿色发光二极管的压降为
3.0—3.2V,正常发光时的额定电流约为20mA
二极管的电压与电流不是线性关系,所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。
![二手快恢复二极管生产](http://l.b2b168.com/2019/03/28/10/201903281040564737094.jpg)
反向击穿
齐纳击穿
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很
小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空
穴对,致使电流急剧,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不
容易产生齐纳击穿。
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反向性
外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。
由于反向电流很小,二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极
管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反向饱
和电流在nA数量级,小功率锗管在μA数量级。温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数
目增加,反向饱和电流也随之增加
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建有自建电场。当不存在外加电压时,由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场
引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互
相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和
自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。
当外加的反向电压高到一定程度时,pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍
增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。pn
结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分
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击穿
外加反向电压超过某一数值时,反向电流会突然,这种现象称为电击穿。引起电击穿的临
界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿
而引起过热,则单向导电性不一定会被破坏,在撤除外加电压后,其性能仍可恢复,否则
二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。
二极管是一种具有单向导电的二端器件,有电子二极管和晶体二极管之分,电子二极管因为灯
丝的热损耗,效率比晶体二极管低,所以现已很少见到,比较常见和常用的多是晶体二极管。
二极管的单向导电特性,几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路
中起着重要的作用,它是诞生早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。
二极管的管压降:硅二极管(不发光类型)正向管压降0.7V,锗管正向管压降为0.3V,发光二
极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色,具体压降参考值如下:红色发光
二极管的压降为2.0--2.2V,发光二极管的压降为1.8—2.0V,绿色发光二极管的压降为
3.0—3.2V,正常发光时的额定电流约为20mA
二极管的电压与电流不是线性关系,所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。
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反向击穿
齐纳击穿
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很
小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空
穴对,致使电流急剧,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不
容易产生齐纳击穿。
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反向性
外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。
由于反向电流很小,二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极
管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反向饱
和电流在nA数量级,小功率锗管在μA数量级。温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数
目增加,反向饱和电流也随之增加
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