供应快恢复二极管规格 昆山奇沃电子有限公司

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  • 发货地:江苏省苏州昆山市
关键词
快恢复二极管规格
详细说明
二极管是常用的电子元件之一,它大的特性就是单向导电,也就是电流只可以从二极管的
一个方向流过,二极管的作用有整流电路,检波电路,稳压电路,各种调制电路,主要都是由
二极管来构成的,其原理都很简单,正是由于二极管等元件的发明,才有我们现 在丰富多彩
的电子信息世界的诞生,既然二极管的作用这么大那么我们应该如何去检测这个元件呢,其实
很简单只要用万用表打到电阻档测量一下反向电阻如果很小就说明这个二极管是坏的,反向电
阻如果很大这就说明这个二极管是好的。对于这样的基础元件我们应牢牢掌握住他的作用原理
以及基本电路,这样才能为以后的电子技术学习打下良好的基础
晶体二极管一般可用到十万小时以上。但是如果使用不合理,他就不能充分发挥作用,甚至很快地被损坏。要合理地使用二极管,必须掌握他的主要参数,因为参数是反应质量和特性的。
高工作频率fM(MC)----二极管能承受的高频率。通过PN结交流电频率高于此值,二极管接不能正常工作。
高反向工作电压VRM(V)----二极管长期正常工作时,所允许的高反压。若越过此值,PN结就有被击穿的可能,对于交流电来说,高反向工作电压也就是二极管的高工作电压。
大整流电流IOM(mA)----二极管能长期正常工作时的大正向电流。因为电流通过二极管时就要发热,如果正向电流越过此值,二极管就会有烧坏的危险。所以用二极管整流时,流过二极管的正向电流(既输出直流)不允许超过大整流电流
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二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出

正向特性
在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连
接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导
通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门坎电
压”,又称“死区电压”,锗管约为0.1V,硅管约为0.5V)以后,二极管才能真正导通。导通
后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向
压降”。
反向特性
在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流
流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍
然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压到某一数值,
反向电流会急剧,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。
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二极管,(英语:Diode),电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方
向流过,许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管(Varicap Diode)则用来当作电子
式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流(Rectifying)”
功能。二极管普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压),反向时阻断 
(称为逆向偏压)。因此,二极管可以想成电子版的逆止阀
1.
Freewheel diode续流二极管
2.
Esaki diode隧道二极管;江崎二极管
3.
PIN diode PIN型二极管
4.
Schottky diode肖特基二极管
5.
Schottky barrier double rectifier diode萧特基势垒双整流二极管
6.
Zener diode齐纳二极管
7.
backward diode逆向二极管
8.
avalanche photo diode (APD)雪崩光电二极管
9.
blocking diode阻塞二极管
10.
diode capacitor二极管电容器
11.
clamp diode钳位二极管
12.
common-cathode double diode共阴极双二极管
13.
crystal diode晶体二极管
14.
diode-transistor logic (DTL)二极管晶体管逻辑
15.
variable capacitance diode, variode变容二极管
16.
tunnel diode隧道二极管
17.
transient suppression diode瞬变抑制二极管
18.
resistor-capacitor diode (RCD)电阻器电容器二极管
19.
rectifier diode整流二极管
20.
parasitic diode寄生二极管
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特性曲线
与PN结一样,二极管具有单向导电性。硅二极管典型伏安
特性曲线(图)。在二极管加有正向电压,当电压值较小时,电流极小;当电压超过0.6V时,
电流开始按指数规律,通常称此为二极管的开启电压;当电压达到约0.7V时,二极管处于
完全导通状态,通常称此电压为二极管的导通电压,用符号UD表示。
对于锗二极管,开启电压为0.2V,导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压,当电压值较
小时,电流极小,其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时,电流开始急剧
,称之为反向击穿,称此电压为二极管的反向击穿电压,用符号UBR表示。不同型号的二极管
的击穿电压UBR值差别很大,从几十伏到几千伏。
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