昆山奇沃电子有限公司优势代理供应欧派克（EUPEC）英飞凌（Infineon）IGBT可控硅模块、二极管模块。

  

基本系列型号的IGBT模块：

FZ600R12KE3、FZ600R12KE4
FZ800R12KE3、FZ800R12KF4、FZ800R12KL4C、FZ800R12KS4_B2
FZ900R12KE4、FZ900R12KP4
 FZ1000R12KF1       FZ1000R16KF1       FZ1050R12KF4      FZ1050R16KF4  
 FZ900R12KF5     FZ900R12KF5<
 FZ1000R12KF5       FZ1200R12KF5 
 FZ1200R12KF1       FZ1200R12KL4C     FZ1200R12KF4      FZ1200R16KF1                          
 FZ1200R16KF4       FZ1200R17KF4      FZ1200R17KF6    FZ1200R17KF6C_B2 
 FZ1200R16KF4_S1    FZ1200R17KF6C   
 FZ1200R17KE3 
 FZ1200R17HP4_B2
  
 FZ1600R17HP4_B2
 FZ1600R12KF4_S1
 FZ1600R16KF4_S1
 FZ1600R17KE3 FZ2400R17KE3 FZ3600R17KE3 FZ3600R17HP4
 FZ1600R17HP4_B21
FZ1200R12KE3、FZ1200R12HP4
FZ1600R12KE3、FZ1600R17KF6C_B2、FZ1600R12KL4C
FZ1800R12KF4、FZ1800R12KL4C、FZ1800R12HP4_B9
FZ3600R12KE3、FZ600R12KS4、FZ600R12KE3、FZ600R12KE3_B1
FZ600R12KE4、FZ600R12KP4、FZ600R12KS4、FZ600R12KE4
FZ1200R17KF6C_B2
FZ1600R12KL4C、FZ2400R12KE3、

FZ400R17KE3、FZ800R12KS4_B2
FZ1200R17KE3、FZ1600R17KE3

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT模块的选择
IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。 

按一机部IBI144一75的规定，普通型可控硅称为KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅闸流管》。普通可控硅的型号采用如下格式标注:
额定速态平均屯成系列共分为14个，如表1一5所示。正反向重复蜂值屯压级别规定1000V以下的管子每100V为一级，1000V以上的管子每200V为一级。取电压教除以100做为级别标志，如表1-6所示。
通态平均电压组别依电压大小分为9组，用宇毋表示，如表1一所示。
例如.KP500-12D表示的是通态平均电流为500A,额定(正反向重复峰值)电压为1200V，管压降(通态平均电压)为0.6---0.7V的普通型可控硅。
综上所述，小结如下:
(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三个电极，用硅半导体材料制成的管芯由PNPN四层组成
(2)可控硅由关断转为导通必须同时具备两个条件:(1〕受正向阳极电压;(2)受正向门极电压。
(3)可控硅导通后，当阳极电流小干维持电流In时.可控硅关断。
(4)可控硅的特性主要是:1.阳极伏安特性曲线，2.门极伏安特性区。
(5)应在额定参数范围内使用可控硅。选择可控硅主要确定两个参致:



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