成都进口赛米控整流模块驱动板SKYPER32PRO、SKYPER42R报价
浏览次数:387次
- 产品规格:SKYPER42R
- 发货地:江苏省苏州昆山市玉山镇
关键词
赛米控驱动板模块SKYPER32PRO
详细说明
在工业应用中的电桥电路中的IGBT模块的驱动程序
直流母线电压高达1200V
昆山奇沃电子有限公司优势供应德国赛米控进口驱动板型号;
BOARD1S32PROR SKHI22B
BOARD1SKYPER32P SKHI23/12
BOARD2SS32PROR SKHI23/17R
BOARD2SSKYPER3X SKHI24R
BOARD3SS32PROR SKHI26F
BOARD3SSKYPER3X SKHI26W
BOARD3SSKYPER32 SKHI27W
BOARD4SS32PROR SKHIT01R
BOARD4SSKYPER3X SKPC22/2
BOARD4SS32R SKPC22/3
BOARD SKYPER32PRO (现货)
BOARD3SS32R SKYPER32PROR
BOARD2SS32R SKYPER32R
SKHI10/12R SKYPER42R
SKHI10/17R SKHI22AH4R
西门康可控硅模块
SKKT15/06E SKKT15/08E
SKKT15/12E SKKT15/14E
SKKT15/16E SKKT20/08E
SKKT20/12E SKKT20/14E
SKKT20/16E SKKT26/12E
SKKT26/16E SKKT27/08E
SKKT27/12E SKKT27/14E
SKKT27/16E SKKT27/18E
SKKT41/12E SKKT41/16E
SKKT42/08E SKKT42/12E
SKKT42/14E SKKT42/16E
SKKT42/18E SKKT56/12E
SKKT56/16E SKKT57/08E
SKKT57/12E SKKT57/14E
SKKT57/16E SKKT57/18E
SKKT58/16E
SKKT57/22E SKKT57/20EH4
SKKT71/12E SKKT57/22EH4
SKKT71/16E SKKT72/08E
SKKT72/12E SKKT72/14E
SKKT72/16E SKKT72/20EH4
SKKT72/18E SKKT72/22EH4
SKKT91/12E SKKT91/16E
SKKT92/08E SKKT92/12E
SKKT92/14E SKKT92/16E
SKKT92/18E SKKT105/12E
SKKT105/16E SKKT106/08E
SKKT106/12E SKKT106/14E
SKKT106/18E
SKKT107/16E
SKKT122/08E SKKT122/12E
SKKT122/14E SKKT122/16E
SKKT122/18E SKKT131/12E
SKKT131/16E SKKT132/08E
SKKT132/12E SKKT132/14E
SKKT132/16E SKKT132/20EH4
SKKT132/18E SKKT132/22EH4
SKKT161/12E SKKT161/16E
SKKT162/08E SKKT162/12E
SKKT162/14E SKKT162/20EH4
SKKT162/16E SKKT162/22EH4
SKKT162/18E SKKT172/08E
SKKT172/12E SKKT172/14E
SKKT172/16E SKKT172/18E
SKKT210/08E SKKT210/12E
SKKT210/14E SKKT210/16E
SKKT210/18E SKKT213/08E
SKKT213/12E SKKT213/14E
SKKT213/16E SKKT213/18E
SKKT250/08E SKKT250/12E
SKKT250/14E SKKT250/16E
SKKT250/18E SKKT253/12E
SKKT253/14E SKKT253/16E
SKKT253/18E SKKT273/12E
SKKT273/14E SKKT273/16E
SKKT273/18E SKKT280/12E
SKKT280/16E SKKT280/18E
SKKT280/20E SKKT280/22E
SKKT323/12E SKKT323/14E
SKKT323/16E SKKT330/08E
SKKT330/12E SKKT330/14E
SKKT330/16E SKKT330/18E
SKKT430/12E SKKT430/14E
SKKT430/16E SKKT430/18E
SKKT430/20E SKKT430/22EH4
SKKT460/16E SKKT460/20EH4
SKKT460/22EH4 SKKT570/12E
SKKT570/16E SKKT570/18E
SKKT500/08E SKKT500/12E
SKKT500/14E SKKT500/16E
SKKT500/18E
SKKT20B08E
SKKT20B12E SKKT20B14E
SKKT20B16E SKKT27B08E
SKKT27B12E SKKT27B14E
SKKT27B16E SKKT27B18E
SKKT42B08E SKKT42B12E
SKKT42B14E SKKT42B16E
SKKT42B18E SKKT57B08E
SKKT57B12E SKKT57B14E
SKKT57B16E SKKT57B18E
SKKT57B22E SKKT72B08E
SKKT72B12E SKKT72B14E
SKKT72B16E SKKT72B18E
SKKT92B08E SKKT92B12E
SKKT92B14E SKKT92B16E
SKKT92B18E SKKT106B08E
SKKT106B12E SKKT106B14E
SKKT106B16E SKKT106B18E
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并
建有自建电场。当不存在外加电压时,由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场
引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互
相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和
自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。
当外加的反向电压高到一定程度时,pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍
增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。pn
结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分

m.qiwodz.b2b168.com
直流母线电压高达1200V
昆山奇沃电子有限公司优势供应德国赛米控进口驱动板型号;
BOARD1S32PROR SKHI22B
BOARD1SKYPER32P SKHI23/12
BOARD2SS32PROR SKHI23/17R
BOARD2SSKYPER3X SKHI24R
BOARD3SS32PROR SKHI26F
BOARD3SSKYPER3X SKHI26W
BOARD3SSKYPER32 SKHI27W
BOARD4SS32PROR SKHIT01R
BOARD4SSKYPER3X SKPC22/2
BOARD4SS32R SKPC22/3
BOARD SKYPER32PRO (现货)
BOARD3SS32R SKYPER32PROR
BOARD2SS32R SKYPER32R
SKHI10/12R SKYPER42R
SKHI10/17R SKHI22AH4R
西门康可控硅模块
SKKT15/06E SKKT15/08E
SKKT15/12E SKKT15/14E
SKKT15/16E SKKT20/08E
SKKT20/12E SKKT20/14E
SKKT20/16E SKKT26/12E
SKKT26/16E SKKT27/08E
SKKT27/12E SKKT27/14E
SKKT27/16E SKKT27/18E
SKKT41/12E SKKT41/16E
SKKT42/08E SKKT42/12E
SKKT42/14E SKKT42/16E
SKKT42/18E SKKT56/12E
SKKT56/16E SKKT57/08E
SKKT57/12E SKKT57/14E
SKKT57/16E SKKT57/18E
SKKT58/16E
SKKT57/22E SKKT57/20EH4
SKKT71/12E SKKT57/22EH4
SKKT71/16E SKKT72/08E
SKKT72/12E SKKT72/14E
SKKT72/16E SKKT72/20EH4
SKKT72/18E SKKT72/22EH4
SKKT91/12E SKKT91/16E
SKKT92/08E SKKT92/12E
SKKT92/14E SKKT92/16E
SKKT92/18E SKKT105/12E
SKKT105/16E SKKT106/08E
SKKT106/12E SKKT106/14E
SKKT106/18E
SKKT107/16E
SKKT122/08E SKKT122/12E
SKKT122/14E SKKT122/16E
SKKT122/18E SKKT131/12E
SKKT131/16E SKKT132/08E
SKKT132/12E SKKT132/14E
SKKT132/16E SKKT132/20EH4
SKKT132/18E SKKT132/22EH4
SKKT161/12E SKKT161/16E
SKKT162/08E SKKT162/12E
SKKT162/14E SKKT162/20EH4
SKKT162/16E SKKT162/22EH4
SKKT162/18E SKKT172/08E
SKKT172/12E SKKT172/14E
SKKT172/16E SKKT172/18E
SKKT210/08E SKKT210/12E
SKKT210/14E SKKT210/16E
SKKT210/18E SKKT213/08E
SKKT213/12E SKKT213/14E
SKKT213/16E SKKT213/18E
SKKT250/08E SKKT250/12E
SKKT250/14E SKKT250/16E
SKKT250/18E SKKT253/12E
SKKT253/14E SKKT253/16E
SKKT253/18E SKKT273/12E
SKKT273/14E SKKT273/16E
SKKT273/18E SKKT280/12E
SKKT280/16E SKKT280/18E
SKKT280/20E SKKT280/22E
SKKT323/12E SKKT323/14E
SKKT323/16E SKKT330/08E
SKKT330/12E SKKT330/14E
SKKT330/16E SKKT330/18E
SKKT430/12E SKKT430/14E
SKKT430/16E SKKT430/18E
SKKT430/20E SKKT430/22EH4
SKKT460/16E SKKT460/20EH4
SKKT460/22EH4 SKKT570/12E
SKKT570/16E SKKT570/18E
SKKT500/08E SKKT500/12E
SKKT500/14E SKKT500/16E
SKKT500/18E
SKKT20B08E
SKKT20B12E SKKT20B14E
SKKT20B16E SKKT27B08E
SKKT27B12E SKKT27B14E
SKKT27B16E SKKT27B18E
SKKT42B08E SKKT42B12E
SKKT42B14E SKKT42B16E
SKKT42B18E SKKT57B08E
SKKT57B12E SKKT57B14E
SKKT57B16E SKKT57B18E
SKKT57B22E SKKT72B08E
SKKT72B12E SKKT72B14E
SKKT72B16E SKKT72B18E
SKKT92B08E SKKT92B12E
SKKT92B14E SKKT92B16E
SKKT92B18E SKKT106B08E
SKKT106B12E SKKT106B14E
SKKT106B16E SKKT106B18E
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并
建有自建电场。当不存在外加电压时,由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场
引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互
相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和
自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。
当外加的反向电压高到一定程度时,pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍
增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。pn
结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分

m.qiwodz.b2b168.com
5178133